Асеев Александр Леонидович

Российский ученый. Доктор физико-математических наук. Главный научный сотрудник ИФП СО РАН. Ранее занимал должность Вице-президента Российской Академии Наук. Возглавлял Сибирское отделение РАН. Является специалистом по атомной структуре, электронным свойствам и диагностике полупроводниковых. Член секции нанотехнологий РАН.


Александр Асеев родился 24 сентября 1946 года в городе Улан-Удэ, Республика Бурятия. В 1968 году окончил физический факультет Новосибирского государственного университета.

     В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию на тему: «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоев кремния и германия на различных подложках». В 1990 году защищает докторскую диссертацию на тему: «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».

     С 1998 года по 25 апреля 2013 года Асеев являлся директором Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова РАН. Его учениками защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. Асеев - автор и соавтор 200 научных работ, в том числе 5 монографий и 9 патентов. Основные научные интересы относятся к изучению атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитию технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.

     Под руководством Александра Леонидовича в Институте физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии Наук создан научно-технологический комплекс для получения и исследования полупроводниковых микро- и наноструктур. В структурах с двумерным электронным газом исследованы резонансные явления при квантовом транспорте носителей заряда. Выполнены пионерские работы по изучению свойств моноатомных ступеней на поверхности кремния и исследованию атомных механизмов процессов кластеризации собственных точечных дефектов в кремнии и германии.

     Ученый совместно с коллегами разработал технологию молекулярно-лучевой эпитаксии для получения фоточувствительных слоев кадмий-ртуть-теллур и полупроводниковых структур с квантовыми ямами для нового поколения инфракрасных фотоприемных устройств. Асеев ведет работы по созданию нанотранзисторов, занимается разработкой новых типов элементов памяти, элементов силовой электроники и солнечной энергетики на кремнии.

     С 2000 года - член-корреспондент, а с 2006 года Александр Леонидович академик РАН. С 2008 года - Вице-президент РАН, член секции нанотехнологий отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН. С 2008 года - Председатель Сибирского отделения РАН.

     С июня 2014 года - член наблюдательного совета Томского политехнического университета. Входит в состав Ученого совета Новосибирского государственного университета. Иностранный член Национальной академии наук Беларуси.

     В 2017 году Асеев Александр Леонидович приступил к исполнению полномочий Главного научного сотрудника Института Физики Полупроводников Сибирского Отделения РАН.


Награды и Звания Александра Асеева

Награды и Звания Александра Асеева

Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени 2008

Почетный профессор Бурятского государственного университета 2010

Иностранный член Национальной академии наук Беларуси 2014

Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» I степени - за большой вклад в развитие науки, образования, подготовку квалифицированных специалистов 2017

Звание «Почетный житель города Новосибирск» 2018

Почетный доктор Санкт-Петербургского Академического университета 2018

21.09.2020
ЗАКРЫТЬ X
ruspekh.ru
Яндекс.Метрика
© 2012-2019 ruspekh.ru, РИА «Руспех». Электронное периодическое издание: Российское информационное агентство Руспех. Зарегистрировано в Федеральной службе по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций. Свидетельство о регистрации СМИ: ЭЛ №ФС77-70166 от 16.06.2017. Учредитель: ООО "Руспех". Главный редактор: Гриднев Андрей Игоревич. На сайте распространяется информация Российского информационного агентства «Руспех» . Зарегистрировано в Федеральной службе по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций. Свидетельство о регистрации СМИ: ИА №ФС77-70090 от 16.06.2017. Учредитель: ООО "Руспех".
Адрес редакции: 121170, Москва, ул. 1812 года, 8к1, 6й подъезд, телефон: +7 (495) 24-10-100, email: Адрес электронной почты защищен от спам-ботов. Для просмотра адреса в вашем браузере должен быть включен Javascript..
При полном или частичном использовании и воспроизведении материалов сайтов ссылка на РИА «Руспех» обязательна. Для веб-сайтов интерактивная ссылка на сайт ruspekh.ru обязательна. Мнение авторов публикаций может не совпадать с позицией редакции агентства. Стоковые изображения от Depositphotos.